Técnicas y métodos para medir transistores con multímetro
Discriminación de electrodos de transistores y tipos de tubos.
(1) Método de inspección visual
① Identificación del tipo de tubería
Generalmente, si el tipo de tubería es NPN o PNP se debe distinguir por el modelo marcado en la carcasa de la tubería. Según las normas ministeriales, el segundo dígito (letra) del modelo de transistor, A y C representan tubos PNP, B y D representan tubos NPN, por ejemplo:
3AX es un transistor de baja potencia y baja frecuencia tipo PNP y 3BX es un transistor de baja potencia y baja frecuencia tipo NPN
3CG es un transistor de baja potencia de alta frecuencia tipo PNP y 3DG es un transistor de baja potencia de alta frecuencia tipo NPN
3AD es un transistor de alta potencia de baja frecuencia tipo PNP y 3DD es un transistor de alta potencia de baja frecuencia tipo NPN
3CA es un transistor de alta potencia y alta frecuencia tipo PNP y 3DA es un transistor de alta potencia y alta frecuencia tipo NPN
Además, existen tubos de baja potencia de alta frecuencia de la serie 9011-9018 internacionalmente populares, con la excepción de los tubos PNP para 9012 y 9015, todos los cuales son tubos de tipo NPN.
② Discriminación de postes de tubos
Los transistores de potencia pequeños y medianos de uso común tienen carcasas circulares de metal y envases de plástico (semicilíndricos). La Figura T305 presenta tres formas típicas y métodos de disposición de electrodos.
(2) Usar un multímetro para determinar el rango de resistencia
Hay dos uniones PN dentro del transistor, que se pueden usar para distinguir los tres polos e, byc usando un rango de resistencia multímetro. En el caso del etiquetado de modelos difusos, este método también se puede utilizar para distinguir el tipo de tubería.
① Discriminación de base
Al distinguir el electrodo del transistor, primero se debe confirmar el electrodo base. Para tubos NPN, conecte un cable negro a la base supuesta y un cable rojo a los otros dos polos. Si la resistencia medida es pequeña, oscila entre unos pocos cientos y varios miles de ohmios; Cuando se intercambian las sondas negra y roja, la resistencia medida es relativamente alta, superando varios cientos de kiloohmios. En este punto, la sonda negra está conectada al electrodo base. Tubo PNP, la situación es la opuesta. Al medir, cuando ambas uniones PN están polarizadas positivamente, la sonda roja se conecta al electrodo base.
De hecho, la base de los transistores de baja potencia generalmente está dispuesta en medio de tres pines. El método anterior se puede utilizar para conectar las sondas negra y roja a la base respectivamente, lo que no solo puede determinar si las dos uniones PN del transistor están intactas (similar al método de medición para uniones PN de diodo), sino también confirmar el tubo. tipo.
② Discriminación entre colector y emisor
Después de determinar el electrodo base, suponga que uno de los pines restantes es el electrodo colector c y el otro es el electrodo emisor e. Use sus dedos para pellizcar los electrodos cyb respectivamente (es decir, use sus dedos para reemplazar la resistencia base Rb). Al mismo tiempo, contacte las dos sondas del multímetro con c y e respectivamente. Si el tubo que se está probando es NPN, use una sonda negra para hacer contacto con el polo c y una sonda roja para conectar el polo e (opuesto al tubo PNP) y observe el ángulo de desviación del puntero; Luego configure el otro pin como polo C, repita el proceso anterior y compare el ángulo de desviación del puntero medido dos veces. El más grande indica que el CI es grande y que el tubo está agrandado. Las suposiciones correspondientes para los polos cy e son correctas.
2. Medición sencilla del rendimiento del transistor.
(1) Medida ICEO y
El electrodo base está abierto y el cable negro del multímetro está conectado al colector c del tubo NPN, mientras que el cable rojo está conectado al emisor e (opuesto al tubo PNP). En este momento, un valor de resistencia alto entre cye indica un ICEO bajo, mientras que un valor de resistencia bajo indica un ICEO alto.
Reemplace la resistencia base Rb con el dedo y mida la resistencia entre c y e usando el método anterior. Si el valor de resistencia es mucho menor que cuando la base está abierta, indica que el valor es Alto.
(2) Utilice un multímetro para medir el rango hFE
Algunos multímetros tienen un rango hFE y el factor de amplificación actual se puede medir insertando un transistor de acuerdo con la polaridad especificada en el medidor, si es muy pequeño o cero, indica que el transistor se ha dañado. Se pueden medir dos uniones PN utilizando un rango de resistencia para confirmar si hay una avería o un circuito abierto.
3. Selección de triodos semiconductores.
La selección de transistores debe, en primer lugar, cumplir con los requisitos de los equipos y circuitos y, en segundo lugar, cumplir con el principio de conservación. Según diferentes propósitos, generalmente se deben considerar los siguientes factores: frecuencia de operación, corriente del colector, potencia disipada, coeficiente de amplificación de corriente, voltaje de ruptura inversa, estabilidad y caída de voltaje de saturación. Estos factores tienen una relación mutuamente restrictiva y, al seleccionar la gestión, se debe comprender la contradicción principal teniendo en cuenta los factores secundarios.
La frecuencia característica fT de los tubos de baja frecuencia es generalmente inferior a 2,5 MHz, mientras que la fT de los tubos de alta frecuencia oscila entre decenas de MHz y cientos de MHz o incluso más. Al seleccionar tuberías, fT debe ser 3-10 veces la frecuencia de trabajo. En principio, las válvulas de alta frecuencia pueden reemplazar a las de baja frecuencia, pero la potencia de las válvulas de alta frecuencia es generalmente relativamente pequeña y el rango dinámico es estrecho. Al reemplazar, se debe prestar atención a las condiciones de energía.
Esperanza general Elige una talla más grande, pero no es necesariamente mejor. Demasiado alto puede causar fácilmente una oscilación autoexcitada, y mucho menos el funcionamiento promedio de tuberías altas a menudo es inestable y se ve muy afectado por la temperatura. generalmente múltiples opciones entre 40 y 100, pero con tubos de valor de bajo y alto ruido (como 1815, 9011-9015, etc.), la estabilidad de la temperatura sigue siendo buena cuando el valor alcanza varios cientos. Además, para todo el circuito, la selección también debe basarse en la coordinación de todos los niveles. Por ejemplo, para la etapa anterior Alto, en el último nivel se pueden utilizar tuberías Inferiores; Por el contrario, el nivel anterior utiliza el nivel inferior para etapas posteriores se pueden utilizar tuberías superiores.
El voltaje de ruptura inversa UCEO del emisor colector debe seleccionarse para que sea mayor que el voltaje de la fuente de alimentación. Cuanto menor sea la corriente de penetración, mejor será la estabilidad de la temperatura. La estabilidad de los tubos de silicio ordinarios es mucho mejor que la de los tubos de germanio, pero la caída de voltaje de saturación de los tubos de silicio ordinarios es mayor que la de los tubos de germanio, lo que puede afectar el rendimiento de ciertos circuitos. Debe seleccionarse según la situación específica del circuito. Al seleccionar la potencia disipativa de los transistores, se debe dejar un cierto margen según los requisitos de los diferentes circuitos.
Para los transistores utilizados en amplificación de alta frecuencia, amplificación de frecuencia intermedia, osciladores y otros circuitos, se deben seleccionar transistores con alta frecuencia característica fT y pequeña capacitancia interpolar para garantizar una alta ganancia de potencia y estabilidad incluso a altas frecuencias.
