Multímetro: selección de transistores semiconductores.
La selección de transistores debe, en primer lugar, cumplir con los requisitos de los equipos y circuitos y, en segundo lugar, cumplir con el principio de economía. Dependiendo de la aplicación, generalmente se deben considerar los siguientes factores: frecuencia de operación, corriente del colector, potencia disipada, factor de amplificación de corriente, voltaje de ruptura inversa, estabilidad y caída de voltaje de saturación, etc. Estos factores tienen una relación mutuamente restrictiva. Durante las elecciones y la gestión debemos captar las principales contradicciones y tener en cuenta los factores secundarios.
La frecuencia característica fT de los tubos de baja frecuencia es generalmente inferior a 2,5 MHz, mientras que la fT de los tubos de alta frecuencia oscila entre decenas de MHz y cientos de MHz o incluso más. Al seleccionar el control, fT debe ser de 3 a 10 veces la frecuencia de operación. En principio, las válvulas de alta frecuencia pueden reemplazar a las de baja frecuencia, pero la potencia de las válvulas de alta frecuencia es generalmente relativamente pequeña y el rango dinámico es estrecho. Preste atención a las condiciones de energía al reemplazar.
En general, esperamos que sea más grande, pero más grande no siempre es mejor. Si es demasiado alto, fácilmente provocará una oscilación autoexcitada, sin mencionar que generalmente los tubos con un nivel alto son inestables y se ven muy afectados por la temperatura. Normalmente, el valor está entre 40 y 100, pero para tubos con poco ruido y alto valor (como 1815, 9011~9015, etc.), la estabilidad de la temperatura sigue siendo buena cuando el valor alcanza cientos. Además, para todo el circuito, se deberá seleccionar entre las coordinaciones de todos los niveles. Por ejemplo, si la etapa frontal usa un tubo beta alto, la etapa trasera puede usar un tubo beta bajo; por el contrario, si la etapa frontal usa un tubo beta bajo, la etapa trasera puede usar un tubo beta alto.
Se debe elegir que el voltaje de ruptura inversa colector-emisor UCEO sea mayor que el voltaje de suministro. Cuanto menor sea la corriente de penetración, mejor será la estabilidad frente a la temperatura. La estabilidad de los tubos de silicio ordinarios es mucho mejor que la de los tubos de germanio, pero la caída de voltaje de saturación de los tubos de silicio ordinarios es mayor que la de los tubos de germanio, lo que afectará el rendimiento del circuito en algunos circuitos. Debe seleccionarse según las condiciones específicas del circuito y el consumo del transistor. Al disipar energía, se debe dejar un cierto margen según los requisitos de los diferentes circuitos.
Para los transistores utilizados en circuitos como amplificación de alta frecuencia, amplificación de frecuencia intermedia y osciladores, se deben seleccionar transistores con alta frecuencia característica fT y pequeña capacitancia entre electrodos para garantizar una alta ganancia de potencia y estabilidad a altas frecuencias.
