Métodos de uso de un multímetro para detectar el módulo de potencia de un inversor
Al detectar el módulo de potencia en el circuito (aislado de la red eléctrica), use el rango R×1 de un multímetro de puntero para medir los seis diodos del puente rectificador y el colector y emisor de los seis transistores IGBT del puente de salida en ambas direcciones, hacia adelante y hacia atrás, respectivamente, para determinar si están averiados. La Tabla 1 y la Tabla 2 muestran los resultados de medición normales. De lo contrario, hay componentes-estropeados en su interior. Utilice el rango B×1k del multímetro de puntero para medir la resistencia entre la puerta y el emisor de cada uno de los seis transistores IGBT (el terminal de entrada de la señal de conducción) respectivamente, y deberían ser iguales. Si hay diferencias indica que el circuito conductor o el transistor IGBT está dañado. Las mediciones anteriores solo pueden detectar el daño por rotura de los transistores IGBT y no pueden detectar el daño del circuito abierto-. Después de retirar el módulo de alimentación de la placa de circuito, se puede medir más cada transistor IGBT. El método se muestra en la Figura 1. El puntero de la izquierda indica no-conducción y el puntero de la derecha indica conducción. Si no se puede hacer que conduzca y se corte, entonces el transistor está dañado.
La estructura del módulo de potencia del inversor:
Dentro del módulo de potencia del inversor, una parte es un circuito rectificador de puente monofásico o trifásico-compuesto de diodos, y la otra parte es un circuito de salida de puente trifásico-compuesto por seis transistores IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) y seis diodos de amortiguación utilizados en cooperación.
P1 es el terminal positivo de la salida rectificada +300V y N1 es el terminal negativo de la salida rectificada. Estos dos pines están conectados externamente a un condensador electrolítico de filtro y están conectados a través de la bobina inductora mutua, donde P1 está conectado a P2 y N1 está conectado a N2, suministrando energía al puente de salida compuesto por seis transistores IGBT.
Los colectores de los tres transistores IGBT en el medio-puente superior del puente de salida trifásico-están todos conectados al terminal positivo de la fuente de alimentación, y los emisores son los terminales de salida trifásicos U, V y W respectivamente. Los emisores y las compuertas de los tres transistores forman los terminales de entrada de las señales de conducción para el -medio superior-puente trifásico, a saber, GU-U, GV-V y GW-W. Los colectores de los tres transistores IGBT en el medio-puente inferior del puente de salida trifásico-están conectados respectivamente a U, V y W, y todos los emisores están conectados al terminal negativo de la fuente de alimentación. Las puertas de los tres transistores y el terminal negativo de la fuente de alimentación forman los terminales de entrada de las señales de activación para el medio puente-inferior trifásico-, es decir, GX, GY y GZ. B es el terminal de control de frenado.
