Identificación y valoración de FET mediante un multímetro
Transistor de efecto de campo, abreviado como FET. Un transistor típico se compone de dos polaridades de portadores de carga, a saber, portadores de carga mayoritarios y portadores de carga minoritarios de polaridad opuesta, que participan en la conducción, de ahí que se le llame transistor bipolar. Por el contrario, el FET sólo está compuesto por portadores de carga mayoritarios que participan en la conducción, y es lo opuesto al bipolar, también conocido como transistor unipolar. Pertenece a dispositivos semiconductores controlados por voltaje y tiene las ventajas de alta resistencia de entrada (108-109 Ω), bajo ruido, bajo consumo de energía, amplio rango dinámico, fácil integración, sin fenómeno de avería secundaria y amplia área de trabajo segura. Se ha convertido en un fuerte competidor de los transistores bipolares y de los transistores de potencia.
Pruebas de transistores de efecto de campo
1. Identificación de pines del transistor de efecto de campo de unión:
La puerta de un transistor de efecto de campo es equivalente a la base del transistor, y la fuente y el drenaje corresponden al emisor y colector del transistor, respectivamente. Colóquelo en el rango R × 1k y use dos sondas para medir la resistencia directa e inversa entre cada dos pines. Cuando las resistencias directa e inversa entre dos pines son iguales, ambas del orden de K Ω, estos dos pines son el drenaje D y la fuente S (intercambiables), y el pin restante es la puerta G. Para un transistor de efecto de campo de unión con cuatro pines, el otro polo es el blindaje (conectado a tierra durante el uso).
2. Puerta del juicio
Toque un electrodo del tubo con la sonda negra del multímetro y toque los otros dos electrodos con la sonda roja. Si los valores de resistencia medidos dos veces son muy pequeños, indica que ambos son resistencias directas. Este transistor pertenece al transistor de efecto de campo de canal N y la sonda negra también está conectada a la puerta.
El proceso de fabricación determina que la fuente y el drenaje del transistor de efecto de campo sean simétricos, intercambiables y no afecten el funcionamiento normal del circuito, por lo que no es necesario distinguirlos. La resistencia entre la fuente y el drenaje es de varios miles de ohmios.
Tenga en cuenta que este método no se puede utilizar para determinar la puerta de un transistor de efecto de campo de puerta aislada. Debido a que la resistencia de entrada de este tipo de tubo es extremadamente alta y la capacitancia entre electrodos entre la puerta y la fuente es muy pequeña, una pequeña cantidad de carga puede formar un alto voltaje en la capacitancia entre electrodos durante la medición, lo que puede dañar fácilmente el tubo.
