Cómo probar si un transistor-de efecto de campo está bien o mal con un multímetro
Debido a la presencia de un diodo amortiguador entre los polos D-S de los MOSFET de uso común, el rendimiento de los MOSFET se puede determinar utilizando el nivel de diodo de un multímetro digital para detectar la caída de voltaje del diodo entre los polos D-S. El método de detección detallado es el siguiente.
Gire el interruptor de marcha del multímetro digital al modo diodo, conecte la sonda roja al polo S y la sonda negra al polo D. En este momento, la pantalla del multímetro mostrará el valor de caída de voltaje del diodo entre los polos D-S. El valor de caída de voltaje de los transistores de efecto de campo de alta -potencia- suele estar entre 0,4 y 0,8 V (principalmente alrededor de 0,6 V); No debe haber ninguna caída de voltaje entre la sonda negra conectada al polo S, la sonda roja conectada al polo D y el polo G y otros pines (por ejemplo, en un transistor de efecto N-campo de canal-, un transistor de efecto P-campo de canal- debe tener un valor de caída de voltaje cuando la sonda roja está conectada al polo D y la sonda negra está conectada al polo S). Por el contrario, indica que el transistor-de efecto de campo se ha dañado.
Los transistores de efecto de campo suelen sufrir daños por avería y los pines suelen estar en estado de cortocircuito. Por lo tanto, la caída de voltaje entre los pines también debería ser OV. Después de cada medición de un transistor de efecto de campo MOS, se cargará una pequeña cantidad de carga en el condensador de unión G-S, estableciendo un voltaje UGS. Al volver a medir, es posible que las clavijas no se muevan (si usa un multímetro digital, el error de medición será grande). En este momento, cortocircuite brevemente los polos G-S.
El daño de los transistores de efecto-de campo suele deberse a averías y cortocircuitos. En este momento, al medir con un multímetro, los pines suelen estar interconectados. Una vez dañado el transistor de efecto de campo-, generalmente no hay daños aparentes evidentes. En el caso de transistores de efecto de campo-dañados por sobrecorriente grave, puede explotar.
