Principio de funcionamiento y características del telémetro láser telescópico portátil de alta precisión
Los telémetros láser generalmente usan dos métodos para medir la distancia: método de pulso y método de fase. El proceso del método de medición de pulsos es el siguiente: el telémetro emite; el láser es reflejado por el objeto medido y luego recibido por el telémetro, y el telémetro registra el tiempo del láser de ida y vuelta al mismo tiempo. La mitad del producto de la velocidad de la luz y el tiempo de ida y vuelta es la distancia entre el telémetro y el objeto medido. La precisión de la medición de distancia por el método de pulso es generalmente de más/-1 metros. Además, la zona ciega de medición de este tipo de telémetro es generalmente de unos 5-15 metros.
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El instrumento funciona con láseres semiconductores con longitudes de onda de 905 nm y 1540 nm. Para telémetros láser de 905nm y 1540nm, los llamamos "seguros". Láser YAG que opera a una longitud de onda de 1064 nm. La longitud de onda de 1064 nanómetros es dañina para la piel y los ojos humanos, especialmente si los ojos tocan accidentalmente el láser con una longitud de onda de 1064 nanómetros, el daño a los ojos puede ser fatal. Por lo tanto, en países extranjeros, el láser de 1064 nanómetros está completamente prohibido en el telémetro láser de mano. En China, algunos fabricantes también producen telémetros láser de 1064 nm. En cuanto al telémetro láser de 1064nm, debido a que es potencialmente dañino para el cuerpo humano, lo llamamos "inseguro".
Estructura y composición del telémetro fotoeléctrico infrarrojo
El telémetro infrarrojo se compone principalmente de una unidad de emisión de luz modulada, una unidad de recepción, una unidad de medición de fase, una unidad de conteo y visualización, una unidad de control lógico y un convertidor de potencia. La fuente de luz suele ser un diodo emisor de luz semiconductor de arseniuro de galio (GaAs). Cuando una corriente considerable pasa a través de la unión PN del diodo de GaAs, la unión PN emitirá luz infrarroja cercana con una longitud de onda de 0.72 μm y 0.94 μm, que se debe a la recombinación electrón-hueco en el semiconductor GaAs dopado. , el exceso de energía se libera en forma de fotones. Además, la intensidad de la luz emitida variará con la corriente de inyección. Por lo tanto, si se utiliza como fuente de luz del telémetro, la modulación de amplitud de la intensidad de la luz emitida se puede realizar directamente cambiando la magnitud de la corriente de alimentación, es decir, este dispositivo semiconductor emisor de luz tiene la doble función de " radiación" y "modulación".
El dispositivo de conversión de fotodetección de infrarrojos utilizado para recibir luz modulada suele ser un fotodiodo de silicio o un fotodiodo de avalancha, y estos dispositivos tienen un "efecto de fotovoltaje". Cuando se irradia luz externa en su unión PN, debido al efecto de conversión de energía fotoeléctrica, se puede generar una diferencia de potencial en los dos polos de PN, y su magnitud cambiará con la intensidad de la luz incidente, desempeñando así el papel de " demodulación".
