Métodos para juzgar el estado de los componentes con un multímetro:
1. Detección de diodos ordinarios.
Mida con un multímetro MF47, conecte las sondas roja y negra a ambos extremos del diodo, lea la lectura y luego intercambie las sondas para medir. Según los resultados de dos mediciones, el valor de resistencia directa de los diodos de germanio de baja-potencia suele ser de 300-500 Ω, mientras que el de los diodos de silicio es de aproximadamente 1 k Ω o más. La resistencia inversa del tubo de germanio es de varias decenas de kiloohmios, y la resistencia inversa del tubo de silicio es superior a 500 k Ω (el valor del diodo de alta potencia es mucho menor). Un buen diodo tiene una resistencia directa baja y una resistencia inversa alta, y cuanto mayor sea la diferencia entre la resistencia directa e inversa, mejor. Si la resistencia directa e inversa medida es muy pequeña y cercana a cero, indica que el diodo está en cortocircuito internamente; Si la resistencia directa e inversa es muy alta o tiende al infinito, indica que hay un circuito abierto dentro del tubo. En ambos casos, es necesario desechar el diodo.
Pruebas en carretera: probar la resistencia directa e inversa de la unión pn del diodo facilita determinar si el diodo está experimentando un cortocircuito o un circuito abierto.
2. Detección de unión Pn
Configure el multímetro digital en modo diodo y mida la unión pn con la sonda. Si conduce en dirección directa, el número mostrado es la caída de tensión directa de la unión pn. Primero, determine los electrodos colector y emisor; Mida la caída de tensión directa de dos uniones pn con una sonda. El emisor tiene la caída de voltaje más alta, mientras que el colector tiene la caída de voltaje más baja. Al probar las dos uniones, si la sonda roja está conectada al electrodo común, el transistor probado es de tipo npn y la sonda roja está conectada a la base b. Si la sonda negra está conectada al electrodo común, el transistor probado es del tipo pnp y este electrodo es la base b. Después de que el transistor se daña, la unión pn puede tener dos situaciones: avería, cortocircuito y circuito abierto.
En la prueba de circuito: en la prueba de circuito de un transistor en realidad se logra probando la resistencia directa e inversa de la unión pn para determinar si el transistor está dañado. La resistencia de la rama es mayor que la resistencia directa de la unión pn. Normalmente, debería haber una diferencia significativa en la resistencia medida hacia adelante y hacia atrás; de lo contrario, la unión pn se dañará. Cuando la resistencia de la rama es menor que la resistencia directa de la unión pn, la rama debe desconectarse; de lo contrario, no se puede determinar la calidad del transistor.
3. Detección de módulo de puente rectificador trifásico
Tomando como ejemplo el módulo puente rectificador de Semikron, como se muestra en la figura adjunta. Configure el multímetro digital en el modo de prueba de diodo, conecte la sonda negra a com y la sonda roja a v ω, y use las sondas roja y negra para medir las características del diodo directo e inverso entre las fases 3, 4 y 5 y los polos 2 y 1, respectivamente, para verificar y determinar si el puente rectificador está intacto. Cuanto mayor sea la diferencia en las características positivas y negativas medidas, mejor; Si las direcciones de avance y retroceso son cero, indica que la fase detectada se ha roto y cortocircuitado; Si tanto la dirección de avance como la de retroceso son infinitas, indica que la fase detectada ha sido desconectada. Si una fase del módulo del puente rectificador está dañada, se debe reemplazar.
4. Detección del módulo IGBT inversor
Configure el multímetro digital en el modo de prueba de diodos y pruebe las características de los diodos directo e inverso entre los módulos IGBT c1. e1 y c2. e2, así como entre la puerta g y e1, e2, para determinar si el módulo IGBT está intacto.
