Cómo utilizar un multímetro para medir un módulo igbt
Primero, juzga la polaridad.
En primer lugar, el multímetro marcó el bloque R × 1K, medido con un multímetro, si un polo y los otros dos polos del valor de resistencia son infinitos, cambie el bolígrafo después de que el polo y los otros dos polos del valor de resistencia sean infinitos. Aún infinito, se juzga que este polo es la puerta (G). El resto de los dos polos y luego se miden con un multímetro, si el valor de resistencia medido es infinito, cambie el bolígrafo después de que la medición del valor de resistencia sea menor. Al medir el valor de resistencia de uno más pequeño, juzgue el bolígrafo rojo conectado al colector (C); bolígrafo negro conectado al emisor (E).
Segundo, juzga lo bueno y lo malo.
El multímetro se marcará en el bloque R × 10K, con el bolígrafo negro conectado al colector del IGBT (C), el bolígrafo rojo conectado al emisor del IGBT (E), esta vez el puntero del multímetro en la posición cero. . Toque la puerta (G) y el colector (C) con el dedo al mismo tiempo, luego el IGBT se activa para conducir, el puntero del multímetro oscila en la dirección del valor de resistencia más pequeño y puede permanecer de pie para indicar una posición determinada. Luego toque con el dedo al mismo tiempo la puerta (G) y el emisor (E), luego el IGBT se bloquea y el puntero del multímetro vuelve a cero. En este punto se puede juzgar que el IGBT es bueno.
Se puede utilizar cualquier multímetro de puntero para probar IGBT.
Tenga en cuenta que al juzgar si el IGBT es bueno o malo, el multímetro debe marcarse en el bloque R×10K, porque el voltaje de la batería interna del multímetro es demasiado bajo en los siguientes engranajes del bloque R×1K, lo que no puede hacer que el IGBT sea conductor. al detectar lo bueno o lo malo, y no es posible juzgar lo bueno o lo malo del IGBT. Este método también se puede utilizar para detectar si el transistor de efecto de campo de potencia (P-MOSFET) está en buen estado o en mal estado.
Detección del módulo IGBT inversor:
Configure el multímetro digital en el equipo de prueba de diodos, pruebe las características de los diodos del módulo IGBT entre c1 e1, c2 e2, así como las características de los diodos directo e inverso entre la puerta G y e1, e2 para juzgar si el módulo IGBT está intacto o no. .
Tomemos como ejemplo el módulo de seis fases. El lado de carga de la eliminación del cable de fase U, V, W, el uso del equipo de prueba de diodos, el bolígrafo rojo conectado al P (colector c1), el bolígrafo negro mide secuencialmente U, V, W, el multímetro muestra el valor de El más largo; se invertirá, el bolígrafo negro conectado a P, el bolígrafo rojo para medir U, V, W, el multímetro muestra el valor de aproximadamente 400. Luego conecte el bolígrafo rojo a N (emisor e2), el bolígrafo negro para medir U, V, W, el multímetro muestra el valor de aproximadamente 400; bolígrafo negro para P, bolígrafo rojo para medir U, V, W, el multímetro muestra el valor máximo. Las características positivas y negativas entre las fases deben ser las mismas, si hay una diferencia entre el deterioro del rendimiento del módulo IGBT, se debe reemplazar. Daño del módulo IGBT, solo la avería de la situación de cortocircuito.
Se midieron los bolígrafos rojo y negro entre las características positivas y negativas de la puerta G y el emisor E, los dos valores medidos por el multímetro son los más grandes, entonces se puede determinar que la puerta del módulo IGBT es normal. Si hay una visualización numérica que indica que el rendimiento de la puerta se deteriora, se debe reemplazar el módulo. Cuando los resultados positivos y negativos de la prueba son cero, indica que la detección de una fase del poste de la puerta ha sido cortocircuitada. Cuando la puerta se daña, el regulador de voltaje de la placa de circuito que protege la puerta también se dañará.
