Cómo juzgar la calidad de los componentes con un multímetro
1. Detección de diodos ordinarios
Mida con un multímetro MF47, conecte las sondas rojas y negras a ambos extremos del diodo, lea la lectura y luego cambie las sondas para su medición. Según los resultados de dos mediciones, el valor de resistencia hacia adelante de los diodos de germanio de baja potencia generalmente es 300-500 Ω, mientras que el de los diodos de silicio es de aproximadamente 1k Ω o más. La resistencia inversa del tubo de germanio es varias decenas de kiloohms, y la resistencia inversa del tubo de silicio es superior a 500k Ω (el valor del diodo de alta potencia es mucho menor). Un buen diodo tiene una baja resistencia hacia adelante y una alta resistencia inversa, y cuanto mayor sea la diferencia en la resistencia hacia adelante e inversa, mejor. Si la resistencia hacia adelante e inversa medida es muy pequeña y cercana a cero, indica que el diodo es corto circuito internamente; Si la resistencia hacia adelante e inversa es muy alta o tiende al infinito, indica que hay un circuito abierto dentro del tubo. En ambos casos, el diodo debe desecharse.
En las pruebas de carretera: probar la resistencia hacia adelante e inversa de la unión PN del diodo facilita la determinación de si el diodo está experimentando un cortocircuito de descomposición o un circuito abierto.
2. Detección de unión PN
Establezca el multímetro digital en modo de diodo y mida la unión PN con la sonda. Si se lleva a cabo en la dirección hacia adelante, el número mostrado es la caída de voltaje hacia adelante de la unión PN. Primero, determine los electrodos de colección y emisor; Mida la caída de voltaje hacia adelante de dos uniones PN con una sonda, donde el emisor tiene una caída de voltaje más alta y el colector tiene una caída de voltaje más baja. Al probar dos uniones, si la sonda roja está conectada al polo común, el transistor probado es de tipo NPN, y la sonda roja está conectada a la base B; Si la sonda negra está conectada al terminal común, entonces el transistor probado es de tipo PNP y este terminal es la base b. Después de dañar el transistor, hay dos situaciones para la unión PN: cortocircuito de descomposición y circuito abierto.
En las pruebas de circuito: en la prueba de circuito de un transistor se logra realmente probando la resistencia hacia adelante e inversa de la unión PN para determinar si el transistor está dañado. La resistencia de la rama es mayor que la resistencia hacia adelante de la unión PN. Normalmente, debe haber una diferencia significativa en la resistencia hacia adelante e inversa medida, de lo contrario, la unión PN se dañará. Cuando la resistencia de la rama es menor que la resistencia hacia adelante de la unión PN, la rama debe desconectarse, de lo contrario no se puede determinar la calidad del transistor.
3. Detección del módulo de puente rectificador trifásico
Tomando el módulo del puente del rectificador semikron como ejemplo, como se muestra en la figura adjunta. Establezca el multímetro digital en el modo de prueba de diodo, conecte la sonda negra a com y la sonda roja a V Ω, y use las sondas rojas y negras para medir las características de diodo hacia adelante e inversa entre las fases 3, 4 y 5 y los polos 2 y 1, respectivamente, para verificar y determinar si el puente rectificador está intacto. Cuanto mayor sea la diferencia en las características positivas y negativas medidas, mejor; Si las direcciones hacia adelante e inversa son cero, indica que la fase detectada se ha descomponido y cortocircuito; Si las direcciones hacia adelante e inversa son infinitas, indica que la fase detectada se ha desconectado. Si se daña una fase del módulo del puente rectificador, debe reemplazarse.
4. Detección del módulo IGBT del inversor
Establezca el multímetro digital en el modo de prueba de diodo y pruebe las características de diodo de avance e inversa entre los módulos IGBT C1. E1 y C2. E2, así como entre la puerta G y E1, E2, para determinar si el módulo IGBT está intacto.
